研課題
J-GLOBAL ID：202104005450135425
研究課題コード：13415988
極低消費電力集積回路のためのトンネルMOSFETテクノロジーの構築
体系的課題番号：JPMJCR1332
実施期間：2013 - 2019
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学系研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR1332
研究概要：
CMOSと比較して大幅に低い電圧で動作して集積回路の消費電力を大きく低減できるバンド間トンネル型FETの開発を行います。バンド間トンネル型FETは、トンネル電流をゲート電圧で制御する新しいデバイスです。本研究では、実用的で高性能のデバイス技術を開発すると共に、トンネルFETの設計技術や回路技術を構築し、0.3 V以下で動作しうる極低消費電力のシステムの実現を目指します。
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素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
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