研課題
J-GLOBAL ID:202104005450901055  研究課題コード:10104161

希少元素を含まない新規超伝導体の電場誘起キャリアドーピング法による開発

体系的課題番号:JPMJPR1093
実施期間:2010 - 2013
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR1093
研究概要:
液体窒素の沸点、77K を越える温度で超伝導を示す高温超伝導体は物性物理学者の夢であり、産業応用の上でも重要です。最大 160 K で超伝導を示す銅酸化物高温超伝導体は絶縁体に不純物元素を混ぜて超伝導体を作り出す「化学ドーピング」によって開発されました。本研究ではシリコンのトランジスタ技術を応用した新しい材料開発手法、「電場誘起ドーピング」によって材料探索の幅を広げ、新しい超伝導材料を実現します。
研究制度:
上位研究課題: 新物質科学と元素戦略
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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