超低損失SiCパワーデバイス製作のための紫外光援用研磨法の開発

実施期間：2013 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院自然科学研究科(工), 准教授 )
研究概要：

本研究では,パワーデバイス用SiC基板の作製に対応できる高能率・高精度・低コスト研磨技術の開発を最終目標とし,砥粒や薬液を一切用いない紫外光を利用した新しい研磨法の確立を目的として,研磨装置の開発とその適用可能性を実験的に検証した.その結果,2インチサイズのSiC基板の全面研磨に成功するとともに,当初設定していた研磨能率,表面粗さ(RMS:0.1nmオーダ)の目標値を達成することができた.今後,さらなる研磨能率の向上や基板平坦性の改善に向けた取り組みを進めるとともに,GaNやダイヤモンドなどのパワーデバイス用材料に対して,本研磨法の適用可能性を検討する.

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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