強磁性金属/半導体界面制御によるスピントランジスタの創製

体系的課題番号：JPMJPR06M4
実施期間：2006 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , エレクトロニクス研究部門, 研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR06M4
研究概要：

固体中の電子の電荷とスピンの相互作用を利用するスピントロニクス技術が世界的に注目されています。現在、この新技術を利用した「スピントランジスタ」と呼ばれる不揮発性トランジスタの実現を目指した研究が世界規模で行われています。しかしながら、明確に不揮発機能を実証した例は皆無です。本研究は研究者が有する界面制御技術を生かした独自のスピントランジスタを作製し、世界初の不揮発機能を実証することを目的とします。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：界面の構造と制御
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2009 終了報告書

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