高緻密なMgB2バルクの作製とパルス着磁法によるテスラ級バルク磁石開発

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学部, 助教 )
研究概要：

大型かつ高緻密のMgB2バルクを作製し世界最高性能のMgB2バルク磁石を開発することを目的として研究開発を実施した。熱間等方圧加圧法により最大直径65mm、充填率90%以上の大型かつ緻密なMgB2バルクの作製に成功した。磁場中冷却着磁法によりTi置換した直径38mmのバルクの表面中心において3.6テスラ(14K)の捕捉磁場を得た(目標値:直径30mmで3テスラ)。この値は現時点で世界最高値である。一方、パルス着磁法では無置換バルク(直径38mm)において0.75テスラ(20K)の捕捉磁場を得た(目標値:直径30mmで1テスラ)。捕捉磁場値は概ね目標値を達成できたと言える。今後はメカニカルミリングを実施して更なる高特性化を目指す予定である。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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