研課題
J-GLOBAL ID：202104005919325441
研究課題コード：15655513
二次元窒化物半導体を用いたエピタキシャル積層構造の創出と光電子機能デバイス応用
体系的課題番号：JPMJPR1522
実施期間：2015 - 2017
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 生産技術研究所, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1522
研究概要：
ワイドギャップ二次元半導体である六方晶窒化ボロン(hBN)薄膜を用いたエピタキシャル積層構造を作製し、hBNの光学的・電気的・構造的性質を利用した新構造のナノエレクトロニクス材料を創出します。この目的を実現するためにhBN薄膜を低温で結晶成長する技術の開発を行うとともに、ウェハースケールで異種機能性材料と積層融合し、高効率発光素子や低損失デバイスといった次世代低消費電力デバイスへと展開します。
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上位研究課題：
素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
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報告書等：
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