レーザーアニール低温結晶化技術による高性能フレキシブル圧電体フィルムの開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部, 教授 )
研究概要：

研究者がこれまで開発してきたRFマグネトロンスパッタリング法による300°C以下におけるPtおよびLaNiO3酸化物電極の結晶化技術と、エキシマレーザー照射を用いたレーザーアニール法を組み合わせることにより、300°C以下での圧電体(PZT)薄膜の結晶化技術を応用し、300°C以下の温度で耐熱性を有するポリイミドフィルム上にこれらの材料を制膜することにより、フレキシブル素子としての機能を実証するものである。

, , , ,

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る