半導体中の遷移金属不純物の除去方法開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 産業科学研究所, 助教授 )
研究概要：

半導体デバイスプロセスでは、プロセス中に混入する遷移金属不純物がデバイスの特性を劣化させる。この問題を解決する方法の一つとして、デバイス領域から十分離れた領域に適当なドーパント原子を入れ、このドーパント原子に遷移金属不純物を吸い取らせるゲッタリング法が取られている。デバイススケールが小さくなるにつれ、このゲッタリング収率に対する要求がより厳しいものとなっている。本研究では、より高いゲッタリング収率をもつ不純物原子の組み合わせを理論的に予測し、実験的にその効果を検証することによって新しいゲッタリング法を開発する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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