研課題
J-GLOBAL ID：202104006441853907
研究課題コード：07051067
230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究
体系的課題番号：JPMJCR07J4
実施期間：2007 - 2012
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR07J4
研究概要：
波長が230-350nm帯の深紫外高輝度LED・深紫外半導体レーザーは、医療、殺菌・浄水、生化学産業、高演色LED照明、高密度光記録、公害物質の高速浄化、各種情報センシング等の幅広い分野への応用が考えられ、その実現が大変期待されています。本研究では深紫外発光素子実現のため、窒化物InAlGaN系半導体の結晶成長技術を開拓し、230-350nm帯深紫外高効率LED、半導体レーザーを実現します。
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新機能創成に向けた光・光量子科学技術
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