超微小サイズ不揮発性MRAM素子の性能評価

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究科, 助教 )
研究概要：

大容量・高速・低消費電力動作が可能な不揮発性磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のサイズ限界は、磁化の熱揺らぎ限界に起因し、CoPtのような高磁気異方性材料では数nm幅程度である。本研究では、直径が数nm程度のCoPtナノドットをCoPt/MgO層上に成長させ、1つのナノドットがトンネル磁気抵抗素子に対応する超微小MRAM素子を作製し、その特性を伝導性原子間力顕微鏡により評価する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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