機械学習判定によるSiCウェハ・デバイス信頼性高速評価装置開発

体系的課題番号：JPMJTM19CP
実施期間：2019 - 2020
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTM19CP
研究概要：

パワー半導体デバイス用の材料SiCには、ウェハ内に欠陥が存在する。特に基底面転位という欠陥は、長期信頼性を有するデバイスの製造を困難にする。本課題では、SiCウェハの基底面転位を検出し、デバイス信頼性を高速で判定する装置を開発する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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