研課題
J-GLOBAL ID:202104006649218466  研究課題コード:19192912

機械学習判定によるSiCウェハ・デバイス信頼性高速評価装置開発

体系的課題番号:JPMJTM19CP
実施期間:2019 - 2020
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJTM19CP
研究概要:
パワー半導体デバイス用の材料SiCには、ウェハ内に欠陥が存在する。特に基底面転位という欠陥は、長期信頼性を有するデバイスの製造を困難にする。本課題では、SiCウェハの基底面転位を検出し、デバイス信頼性を高速で判定する装置を開発する。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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