触媒反応を用いた高誘電率酸化物薄膜作製手法の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電気系, 准教授 )
研究概要：

MOSトランジスタのゲート酸化膜やフラッシュメモリーのフローティングゲート上層間絶縁膜は、薄層化によりリーク電流の増大やデータ保持特性の劣化等の問題に直面しており、高誘電率絶縁膜の適用が必須となっている。本研究課題は、金属触媒体と酸素原料の組み合わせによる高効率触媒反応を用いて、次世代ULSIやフラッシュメモリー用高品位高誘電率絶縁膜を作製出来る技術を構築することを目的とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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