研課題
J-GLOBAL ID：202104007071277053
研究課題コード：08065229
シリコン系電界放出電子源を用いた次世代半導体製造用低エネルギーイオン注入に使用する無発散走行・照射イオンビームの実用化技術
実施期間：2008 - 2010
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, 工学(系)研究科(研究院), 教授 )
研究概要：
次世代半導体製造に障害となるイオン注入の問題点の本質を解決することができれば、従来のイオン注入装置構造を大幅に変更することなく次世代対応のイオン注入が可能となる。研究代表者らは、JSTイノベーションプラザ京都の「育成研究」(平成18~20年度)において、空間電荷中和原理実験として、シリコン系電界放出電子源からの電子供給により、500 eVのネオンイオンビームの発散抑制効果を確認しており、また、シリコンエミッタアレイの表面炭素化処理による電子源の長寿命化に成功してきた。本プロジェクトでは実機イオンビームにこの技術を適用し、実用化を図る。具体的には、半導体イオン注入装置内部で使用することのできる充分な出力を持ったシリコン系FEA電子源及び電子ビーム減速系を開発して大電流イオンビームの空間電荷中和を実証するとともに、実際のイオン注入装置に搭載するために必要な要素技術を開発する。
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