極低粗度銅箔を用いた高密着ポリイミド/銅界面の作製

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 応用化学研究部, 主任研究員 )
研究概要：

銅箔/ポリイミドから成るプリント配線基板の配線の微細化と信号の高周波数化に対応するためには、銅箔表面の粗さを極めて小さくする必要があるが、その場合、ポリイミドとの接着強度が低くなるという問題がある。本研究では、銅箔表面にアニール処理によってナノ凹凸構造を作製し、さらにポリイミドと相互作用を持つ単分子膜で修飾することで、物理的アンカー効果と化学的作用によって、低粗度でかつ高密着性界面の実現を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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