高性能「歪みSi on Si(110)」電子デバイスの技術開発

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 医学工学総合研究部, 助教 )
研究概要：

正孔移動度の向上に有効であると期待されているSi(110)基板上に成膜した「歪みSi/SiGeバッファー」構造を利用し、相補型金属酸化膜半導体トランジスタの動作特性を向上させようとするものである。従来の素子に対して正孔移動度を2倍程度向上させることを目的とする。これにより電子デバイスの高性能化と低消費電力化を目指すものである。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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