研課題
J-GLOBAL ID:202104007251909430  研究課題コード:7700007399

巨大誘電分極材料によるメモリ素子超高集積化の検討

実施期間:2005 - 2005
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 基礎工学研究科 )
研究概要:
これまで用いられてきているPZT膜の標準分極量の約5倍とういう巨大な残留分極を有するBiFeO3をPLD法やCVD法により作成し、その強誘電性を評価するとともに、巨大分極発現のメカニズムを探る。さらにこの薄膜の強誘電体不揮発メモリFeRAMセンサ・マクチュエータ等のデバイス応用への可能性を探る。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る