水中レーザー照射法を用いた半導体デバイスプロセス技術開発

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電気工学科, 准教授 )
研究概要：

我々は、水中でレーザー照射を行う方法を用いて、薄膜の表面平坦性を維持しつつ熱処理が可能な水中レーザーアニール技術、高生産で低損傷なレーザー微細加工技術の開発を行っている。本研究では、これらの技術を半導体プロセス技術に適用する為、量産対応の高繰り返しレーザーを用いて企業等より提供を受けた試料のデモンストレーション処理を行ない、量産対応技術として実証すると伴に成果の発表を行い、これらの技術の有用性を確認する事を目的とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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