界面ナノ構造制御によるワイドギャップ半導体の機能融合とパワーデバイスへの展開

体系的課題番号：JPMJPR0296
実施期間：2002 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 助手 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR0296
研究概要：

ワイドギャップ半導体は、エネルギー技術、情報技術のキーデバイスである、電力用・通信用パワーデバイスに最適な材料と期待されています。本研究は、化学結合が異なる2種類のワイドギャップ半導体、III族窒化物(III-N)とシリコンカーバイド(SiC)を、1原子層面内(サブ原子層)で原子配列をコントロールする「界面ナノ構造制御」により機能融合し、単独材料では実現困難な高性能パワーデバイス創製へと展開します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：ナノと物性
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2005 終了報告書

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