標準CMOS集積回路とメムスプロセスによるスマート・イオンセンサ技術の開発

体系的課題番号：JPMJTS1514
実施期間：2015 - 2020
実施機関 (2件)： ,
企業責任者： ( )
研究責任者： ( , 工学研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTS1514
研究概要：

イオン信号に適した新しい集積回路技術を開発します。標準CMOS集積回路上にセンサ特有の構造をメムスプロセスで形成する際、両プロセスの間に存在するリソグラフィのギャップを自己整合プロセスにより解決します。分子認識部としてプローブを固定したビーズの3次元空間位置制御技術を開発します。スマート・イオンセンサに特化した汎用集積回路およびウィルスをフィールドで10分以内に検出する小型可搬型装置を開発します。

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研究制度：＞＞＞
上位研究課題：ナノレベルの分解能と識別感度をもつイオンセンサの実現に向けた技術開発
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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