研課題
J-GLOBAL ID:202104007506451182  研究課題コード:11103873

高アスペクトAFM計測のための通電加熱型ナノワイヤ探針作製装置の開発

実施期間:2011 - 2012
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
研究概要:
本研究では原料を通電加熱蒸発させて、AFMカンチレバの探針先端にナノワイヤ(NW)を成長させる高アスペクト探針作製法の開発を目指して研究を行った。研究内容は(1)通電加熱型高アスペクト探針作製装置の製作、(2)通電加熱による高アスペクト探針の試作を実施した。(1)では、高真空排気セットにSi基板の通電加熱機構、カンチレバ固定および基板への接近機構を取付けた装置を作製した。(2)では、Si基板を通電加熱させ、対面設置したカンチレバ探針先端にSi粒子の付着を確認した。さらに、高周波スパッタリング装置で金粒子を堆積させたカンチレバにSi通電加熱蒸着した結果、ナノワイヤの成長は確認できなかったが、探針先端にSi粒子が局所的に付着することを確認した。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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