SiCとダイヤモンド直接接合技術による大口径・高熱伝導率GaN-on-ダイヤモンド基板の研究開発

体系的課題番号：JPMJTM20Q7
実施期間：2021 - 2021
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTM20Q7
研究概要：

コロナ禍による消費電力の増加で、省エネに期待できるGaNパワー素子の需要が高まっている中、SiC基板上に形成したGaN素子では、自己発熱による出力の低下と信頼性の劣化が大きな課題である。本研究開発において、これまでの予備検討に基づき、GaN層転写技術(Si基板からGaN/SiC構造を剥離し、SiC面をダイヤモンドと直接接合する技術)を開発し、最高放熱性GaNパワー素子と素子作製に必要な高耐熱性接合界面を実現する。熱伝導性に優れるSiCを介してGaNとダイヤモンドを接合することにより、競合技術を凌ぐ高放熱性GaN/ダイヤモンド基板作製技術を確立し、基板と素子メーカーとの共同研究につながる。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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