アセチルアセトン錯体の配位子の脱離反応機構を制御した高品質MO-CVD 原料の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電子工学科, 助教 )
研究概要：

本研究課題は、金属アセチルアセトン(acac)錯体が有する配位子の脱離反応機構を制御し、半導体薄膜形成法の中で最も量産性の高い有機金属気相成長(MO-CVD)法で使用する高品質なファイバー状の錯体原料を開発することをにあり、①ZnO薄膜原料であるZn(acac)₂を中心に、n型不純物およびp型不純物原料を含めた配位子の脱離反応機構を制御すること、②ZnO薄膜の作製に最適な、高純度、安定結晶構造を有するMO-CVD原料の製法を実現することを目標とする。

, , , , , ,

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る