高保磁力・高TMR・貴金属フリー垂直磁化固定層を有する磁気センサ素子の開発

体系的課題番号：JPMJTM20K5
実施期間：2021 - 2021
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 材料科学高等研究所, 助教 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTM20K5
研究概要：

本研究では,研究代表者が開発した垂直磁化マンガンガリウム合金薄膜の成長技術と高トンネル磁気抵抗素子技術を元に,シンプルな構造で広くチューナブルなダイナミックレンジ(~10kOe)と高感度磁場センシングを可能にする垂直面内型トンネル磁気抵抗センサを開発し,そのセンサ性能を明らかにすることにより企業への技術移転の足がかりを得る.本研究により,従来技術における資源コスト・生産効率・生産歩留まりに起因する製造コスト増大という課題を解決でき,With/postコロナ社会に向けて,さらに研究開発が加速している自動車の電動化・自動運転,IoT機器,ロボット技術などの技術分野に高性能磁気センサ素子を提供することができる.

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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