研課題
J-GLOBAL ID:202104008123222488  研究課題コード:11104346

めっきプロセスにおける水素誘起現象の解明と応用

実施期間:2011 - 2012
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 大学院工学研究科, 助教 )
研究概要:
本研究は、めっきプロセスにおいて様々な不具合の原因となる水素誘起現象の機構を解明し、水素の問題解決と水素誘起低温拡散現象を利用した機能性合金薄膜の創製を目標として行なわれた。その結果、Pt電析膜については約190°Cでナノ結晶から数ミクロンの結晶粒への異常粒成長が観察された。Pd電析膜については室温でCu基板との界面相互拡散によるCu-Pd合金層の形成が確認された。これらは膜中の水素誘起超多量空孔による金属原子の拡散促進効果によるものと考えられる。今後、めっきプロセスにおける水素の問題解決の事業化に向けてケーススタディを行なって、水素誘起効果を制御した本質的な解決法を検討する予定である。
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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