低温エピ成長による原子レベルで平坦で高品質な極薄金属窒素化膜の開発

実施期間：2005 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部 )
研究概要：

次世代の超高密度Si-LSI実現に必要な極微細拡散バリアの開発を目的とし、Si上に高融点金属窒化物(ZrN、TiN、及びTaN)の極薄膜を形成し得る「低温エピタキシャル成長プロセス技術」を創出する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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