原子操作により形成したナノ構造による半導体表面における量子コヒーレンス現象の走査トンネル分光法による研究

実施期間：2008 - 2011
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 量子電子物性研究部, 主任研究員 )
研究概要：

本研究交流は原子精度のナノ構造制御技術による新しい量子構造に関わる物性研究を半導体で実現することを目的とする。具体的には、日本側のIII-V族化合物半導体材料の分子線エピタキシャル成長(MBE)技術とそれら材料の低温走査トンネル分光法(STS)による評価に於ける専門知識と、ドイツ側の低温STMを用いた原子マニピュレーションと、金属上で金属原子を1つずつ組み合わせて作製したナノ構造のSTS評価に於ける専門知識を組み合わせ、半導体における量子コヒーレンス現象の理解と応用を実現する。日独が本研究交流を通じて相互補完的に取り組むことで、量子情報技術の発展において新しいタイプの半導体機能への道を拓くことが期待される。

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研究制度：＞＞＞
上位研究課題：ナノエレクトロニクス
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2011 事後評価書 , 終了報告書

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