研課題
J-GLOBAL ID:202104008430695040  研究課題コード:7700001351

表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス

体系的課題番号:JPMJCR9883
実施期間:1998 - 2003
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 理工学部, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJCR9883
研究概要:
ダイヤモンドのホモおよびヘテロエピタキシャル成長技術、微細加工技術の高精度化により、高電界、高周波でのデバイス動作を検討します。さらに表面吸着原子制御をnmスケールあるいは原子スケールで行い、他の半導体では不可能な超微細FETあるいは新機能デバイスの作製をめざします。表面科学と電子デバイスにおける知的資産の有機的な連携により、将来の情報通信、エネルギ一、セキュリティ産業への貢献が期待されます。
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 電子・光子等の機能制御
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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