研課題
J-GLOBAL ID:202104008489523006  研究課題コード:7700006316

実プラズマプロセス装置に適用できる電子密度モニタリング法の開発

実施期間:2006 - 2006
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 工学部, 教授 )
研究概要:
近年、超LSIをはじめとする次世代の電子デバイスでは、新しい材料とともに、線幅45nm 以下の極めて高精度な微細加工の技術開発が急務となっている。それに向けた一つの方策であるAPC(Advanced Process Control)が叫ばれる中、本研究では、プラズマおよびプラズマプロセスの高精度制御を目指し、量産装置に適用できる新しい電子密度モニタ法の確立と、それに用いる小型で高感度なセンサヘッドの開発を行う。間接的手法である従来の発光分光法に比べ、プラズマ特性を直接支配する電子密度をモニタすれば、プラズマ制御の精度を飛躍的に向上できる。本電子密度モニタ法は、「プラズマへの擾乱が極めて少ない」、「放電条件の適用可能範囲が広い」、「絶縁膜の堆積の影響が小さい」といった実プロセス装置に不可欠な特徴を同時に満たす可能性が高く、実用化に向けて極めて有望である(実際に、複数の企業からオファーがある)。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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