偏光選択則を利用した近接場チップ増強ラマン分光法の半導体アプリケーション応用

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 理工学部, 助教 )
研究概要：

トランジスタチャネル領域の詳細な物性評価が可能になれば、デバイスパフォーマンスの向上に直結する知見を提供できる。そのためには、評価技術の高空間分解能化が必須である。本課題ではこれを達成するために、光の回折限界を打ち破り、素子サイズを下回る空間分解能を達成可能な近接場チップ増強ラマン分光法(TERS: tip-enhanced Raman spectroscopy)の技術開発を行った。従来TERS技術の場合、半導体のTERS信号がバックグラウンドに埋もれてしまうという問題を包含していた。本研究では、ラマン偏光選択則の適用により所望の領域からの信号を効率的に取得する技術を開発して、TERSの半導体応用の実現化について検討した。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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