研課題
J-GLOBAL ID:202104008843810239
研究課題コード:08062574
縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発
体系的課題番号:JPMJCR0841
実施期間:2008 - 2013
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, 学際科学国際高等研究センター, 教授 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0841
研究概要:
本研究では、デバイスのボディー領域全体を電流駆動領域とする新概念の縦型構造トランジスタのデバイス技術に加えて、その回路設計・材料・プロセス技術までを一貫して開発します。これにより、平面型MOSFETと比較して、駆動電流特性、リーク電流特性、集積密度を大幅に向上させた半導体LSIの新しいユニバーサル技術プラットフォームを提供することを目指します。
タイトルに関連する用語 (6件):
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研究制度:
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上位研究課題:
次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究
研究所管機関:
報告書等:
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