研課題
J-GLOBAL ID：202104008994942455
研究課題コード：7700050005
Au-in-Ga2O3 エンドウ豆型ナノデバイスの作製とプラズモニクスヘの展開
実施期間：2009 - 2012
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学研究科, 准教授 )
研究概要：
本共同研究では、台湾チームが世界に先駆けて開発に成功したAu-Ga2O3コアシェルナノワイアや、エンドウ豆型ナノワイアをkey materialとし、両者が共同で基礎物性の解明、構造・形態制御を行う。これらの知見を元に、最終段階では、新規ナノ電子デバイス、ナノバイオデバイスを提案することを目指した。具体的には、台湾側で、フォトニクス、光エレクトロニクス、プラズモニクス等の応用に適したAu-Ga2O3ナノワイアの構造制御を検討することとした。一方日本側では台湾側で開発したナノワイアをマイクロエレクトロニクスと集積化するために、日本側が有する高温斜め蒸着技術(HT-GLAD)による新しいAu-Ga2O3ナノワイアの製造技術を開発することを試みた。これらのナノ材料、ナノ構造を利用し、両者は共同してナノスケールのデバイスの電子物性、光学物性を研究した。最終的には一次元ナノトランジスタや0次元ナノドットバイオセンサなどの電子・光デバイスへの応用を想定した研究において、世界を代表する研究成果を創出するパートナーシップを構築することを目的とした。
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ナノデバイス
研究所管機関：
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