強誘電体臨界点を利用した高性能チューナブルキャパシタの開発

実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
研究概要：

本研究は、電子回路で利用するチューナブルキャパシタ(以下TC と略す)材料の開発に関するものである。現在、分域壁の移動や超格子構造のような不均一構造に由来する性質が TC材料に利用されているが、経時変化や不安定性が問題となっている。申請者は、今までの研究から誘電体の電場誘起相転移が TC材料として利用できることをPb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PZN-PT) で実験的に見いだした。本研究では、PZN-PT材料特性の再評価及び新材料の探索を行った。PZN-PTの場下での誘電特性を明らかにした。臨界点に利用がチューナブル材料探索に有益な指針であることを示し、特許を申請した。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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