高感度および低LERを有するEUVレジストの開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 高度産業科学技術研究所, 助手 )
研究概要：

極端紫外線リソグラフィ(EUVL)技術は、2010以降の線幅32 nm世代の半導体微細加工技術として期待されている。EUVレジストの開発の課題は、感度5 mJ/cm2以下かつ線幅バラツキ(LER)3 nm(3s)以下を同時に満足するレジストを開発することである。感光剤(PAG)をベースレジンに直接合成する、いわゆるPAG内包型の化学増幅系レジストの開発を進める。併せて、EUV光による2光束干渉露光系により評価を行い、要求仕様を満足するレジストの開発を進める。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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