広帯域発光スペクトルを可能とする窒化物半導体の変調選択成長技術

実施期間：2010 - 2010
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学研究科, 教授 )
研究概要：

本研究開発では、窒化物半導体の選択成長技術において、温度、圧力V/III比などの結晶成長条件やマスク幅、ウィンドウ幅、フィルファクターなどのマスク形状を変えながらa面GaN上でファセット制御を行うための基礎検討とファセット制御機構の考察を行う。この計画に対して、a面GaN上での選択成長においてファセット構造を制御するための成長条件の確立を行うことができた。また、このファセット制御技術を利用することで非極性GaNの低転位密度化も図ることができた。今後は、広帯域白色LEDと高品質非極性窒化物半導体テンプレート基板の実用化に向けた技術移転を行うための研究開発を行う予定である。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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