研課題
J-GLOBAL ID:202104009180427327  研究課題コード:11104276

Siナノ材料塗布膜のレーザーシンタリングによる太陽電池用Si半導体薄膜形成

実施期間:2011 - 2012
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 多元物質科学研究所, 准教授 )
研究概要:
本研究では塗布型Si太陽電池の実現を目指して、Si微粒子とレーザーシンタリング法を用いたSi半導体薄膜の形成およびそれを用いて形成した太陽電池の特性についての検討を行った。高整流特性を有する塗布型Si材料からなる素子形成法の開発においては、透明電極(FTO)、n-Siとオルガノシリコンナノクラスター(OrSi)ハイブリッド薄膜、およびAuスパッタ電極からなる塗布型FTO/n-S-OrSi/Au 接合型素子においては数値目標である整流比500以上(596)を達成でき、ある種の有機化合物により表面修飾したn-S微粒子薄膜/Auショットキーダイオード型太陽電池においては、数値目標である変換効率1%以上(1.06%)を達成することができた。さらに、高い光伝導性を有する塗布型i型層の探索においても、塗布型のi-Si層を用いた系において数値目標:光電流/暗電流比 1,000以上を達成できている。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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