研課題
J-GLOBAL ID:202104009380710511  研究課題コード:08000811

次世代半導体へのイオン注入用パルス重イオンビーム発生技術の開発

実施期間:2007 - 2007
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院理工学研究部 )
研究概要:
電子デバイス業界においては、益々、高速化への要求が高まってきているのが現状である。シリコン半導体は材料限界に近づきつつあり、小型・低損失・高効率のパワーデバイスや高周波デバイスとしての性能指数が優れている炭化ケイ素(SiC)が次世代半導体材料として注目を集めている。炭化ケイ素(SiC)は材料の素子化プロセスでの伝導度を制御する為のイオン注入技術においては、従来の技術では対応できない事から、申請者は新しいイオン注入技術として、イオン注入とアニール処理が同時にできるパルスイオン注入法を提案し、基礎的研究を行ってきた。これまで、プラズマガンを用いたパルス重イオンビーム発生技術を開発し、世界に先駆けて電流密度~100A/cm2、パルス幅~100ns、ビーム純度~94%のパルスイオンビームの発生に成功したが、パルスイオン注入を行うためにはビーム純度の向上(99%以上)が必要となる。本課題では、これまで研究してきたパルス重イオンビーム発生技術とパルス電力技術を融合させることによって、ビーム純度~99%のイオンビームを発生させる事を目標とし、炭化ケイ素(SiC)デバイスの実用化に向けて、新しい高純度・大電流パルス重イオンビーム発生技術の開発を行うものである。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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