スパッタ法によるシリコン上酸化物バッファ層を用いた強磁性薄膜積層化の検討

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電子技術部, 研究員 )
研究概要：

シリコン(Si)基板上に高結晶品質なマグネシア(MgO)等の酸化物エピタキシャルバッファ層を量産可能な薄膜作製プロセスであるスパッタ法にて作製し、スピントロニクス用の強磁性薄膜(Fe3Si)をモノリシックに成長させて積層化技術を検討する。絶縁性をもった厚さ50nm程度のMgO薄膜等のバッファ層としての有用性を検証し、Si基板上あるいはワイドギャップ半導体である炭化珪素(SiC)基盤へのFeやFe3Si等のスピントロニクス材料の積層化の基盤技術を確立する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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