ワイドギャップ酸化物半導体薄膜作製技術の開発と応用

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部, 助教授 )
研究概要：

ワイドギャップ半導体は、シリコンに比べて低損失、耐電圧、高温動作に優れたデバイスを実現できる材料として期待されている。本研究では、窒化ガリウム上に格子不整合が小さく、ワイドギャップの酸化物半導体薄膜を作製する技術の開発を進め、酸化物/窒化物半導体ヘテロ構造を用いたパワーデバイスの開発を目的とする。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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