量子効果を利用した高耐久半導体電子源による高輝度電子ビームの実現

実施期間：2011 - 2011
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 仁科加速器センター・延與放射線研究室, 協力研究員 )
研究概要：

負電子親和力表面を持つ半導体フォトカソードは、電子ビームの単色化に利点を持ち、これまでにない高輝度電子源が期待できる。しかしながら従来技術では、高輝度化の両輪となる電子ビームの単色化と大電流化にトレードオフ関係があるだけでなくNEA状態の長時間維持に問題がある。本研究開発では、半導体が持つ量子効果の利用により、これらの隘路を突破し、これまでにない高輝度かつ高耐久の電子源の実現を目標とする。本研究開発による超格子半導体フォトカソードにより電子ビームの単色化条件である量子閉じ込め効果を観測に成功した。今後、耐久性を評価し、より高輝度と高耐久に最適な半導体の結晶構造を追求する。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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