めっき膜の内部応力発生機構のナノレベル解析と応力緩和

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院工学研究科, 助教 )
研究概要：

エレクトロニクスに応用されるめっき技術は高精細化し、析出初期の膜の内部応力が剥離等の不良の原因となるため、その制御が実用信頼性確保の上で重要である。本研究では、独自開発したTVホログラフィー干渉法により析出条件と応力挙動の系統的な調査を行い、電子顕微鏡観察、不純物分析および水素の挙動分析の総合的な解析から内部応力の発生機構を解明することを目的とする。さらに内部応力の制御について検討し、実質的な内部応力の低減法を提案するとともに実用めっきの内部応力の問題解決に応用する。

, , ,

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る