研課題
J-GLOBAL ID:202104009787348760  研究課題コード:09157392

SiC-JFETの実用化に向けた高性能パッケージの開発

実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 加速器研究施設, 准教授 )
研究概要:
SiCデバイスはワイドギャップ半導体であるために、低損失かつ高温動作が可能でありSiデバイスに置き換わる次世代デバイスとして期待されている。しかし、現状では素子開発の進む一方でその性能に見合うパッケージの開発が遅れているために一部のダイオードを除いては実用化されているとは言い難い。本研究では高温動作に耐え、熱伝導性に優れたパッケージを開発することにより、本デバイスの実用化を加速するものである。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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