低希土類含有量に基づく高性能磁石膜の設計開発

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部, 助教授 )
研究概要：

「本成膜手法」は、磁性膜の代表的な成膜手法であるスパッタリング法とは異なり、10-8Torr台の高真空中での成膜が可能である。そこで、「枯渇資源が注目されているDyやNdなどの希土類元素」の含有量を極力低減させた磁石膜の開発ならびにそのデバイスへの応用研究を提案する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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