研課題
J-GLOBAL ID:202104010006210686  研究課題コード:09157822

書換消費電力の低減を目指した「PRAM用:新規Ge-Cu-Te合金」相変化材料の開発

実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 工学研究科 )
研究概要:
次世代不揮発性メモリとして、コスト・集積度面で有利な相変化メモリ(PRAM)が注目を浴びている。PRAMは高抵抗アモルファス相と低抵抗結晶相の抵抗差を利用して情報を記録するメモリでありジュール熱を利用し相変化させる。現在PRAM材料として、Ge-Sb-Teが研究の主役となっているが、書換電力が高い課題を有する。本研究では、書換電力低減を可能とする低融点・高結晶化温度を併せ持つ新規相変化材料を開発する。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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