水蒸気プラズマ処理によるGaN発光ダイオードの高効率化技術の開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院自然科学研究科, 教授 )
研究概要：

本研究は,最近申請者らが開発して成果を上げた水蒸気リモートプラズマ処理(H2O RPT)技術を活用して,GaN系半導体発光ダイオード(LED)の発光効率増大を図る技術を開発することを目的とする。これまでの研究で明らかになった発光増強を阻害する具体的要因として,1 LEDの積層構造とMg濃度や膜厚などの特性,2 オーミック電極の特性,の2項目を設定し,これらの特性の最適化を図ることにより発光効率の増大を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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