研課題
J-GLOBAL ID：202104010311082809
研究課題コード：12101936
AlNナノボイドエピタキシーを可能にする自然形成ナノマスクによるナノ凹凸基板の作製
実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, 大学院工学研究科, 教授 )
研究概要：
本グループでは、サファイア基板上のエピエピタキシー技術を用いてAlGaN系深紫外発光デバイスを開発しているが、光取り出し効率が5%と低いという問題がある。これ解決するためには、基板表面あるいは界面に波長サイズの凹凸構造(表面凹凸、界面ナノボイドなど)の導入が必要である。 本研究では、200nm以下の凹凸構造を有するサファイア基板(及びAlN/サファイア基板)を作製することを第1の目的とし、これにより上記基板上にAlNのエピタキシャル成長を実施し、基板/エピ界面に200nm以下のナノボイドを有する構造を作製すること(ナノボイドエピタキシー)をめざす。 ナノ凹凸基板の作製では、GaNナノ凹凸構造の作製ですでに実現している自然形成ナノマスクの手法を、サファイア基板等に新規に適用する。
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