アセチルアクトン亜鉛をMO-CVD原料としたa軸配向ZnO透明トランジスタの開発

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 電子工学科, 教授 )
研究概要：

本試験では、独自の製法により作製した昇華特性が安定なアセチルアセトン亜鉛(Zn(C5H7O2)2)ファイバーをMO-CVD原料としたa軸配向ZnO 透明トランジスタ(TFT)を開発することを目的とする。具体的には、本ファイバー原料を用いてZnO 薄膜の表面平坦性を向上させ、TFT の高速化に最適な配向面を有するa軸配向ZnO 薄膜を作製し、それを透明TFT の作製プロセスに応用してデバイスの基本特性である移動度、on/off 比の向上を確認する。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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