研課題
J-GLOBAL ID:202104010716177505
研究課題コード:7700000850
超Gbit-MRAMのための単結晶TMR素子の開発
体系的課題番号:JPMJPR029B
実施期間:2002 - 2005
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJPR029B
研究概要:
トンネル磁気抵抗効果(TMR効果)を利用したMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)は、不揮発・高速・高集積などの特徴を兼ね備えた究極のメモリになると期待されています。本研究では、強磁性金属およびハーフメタルの単結晶電極を用いて高出力TMR素子を開発し、次々世代の超Gbit級MRAMのための基礎技術の確立を目指します。
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ナノと物性
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