超Gbit-MRAMのための単結晶TMR素子の開発

体系的課題番号：JPMJPR029B
実施期間：2002 - 2005
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR029B
研究概要：

トンネル磁気抵抗効果(TMR効果)を利用したMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)は、不揮発・高速・高集積などの特徴を兼ね備えた究極のメモリになると期待されています。本研究では、強磁性金属およびハーフメタルの単結晶電極を用いて高出力TMR素子を開発し、次々世代の超Gbit級MRAMのための基礎技術の確立を目指します。

, ,

研究制度：＞＞
上位研究課題：ナノと物性
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2005 終了報告書

前のページに戻る