イリジウムを代替するホイスラー合金

実施期間：2013 - 2016
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 金属材料研究所, 教授 )
研究概要：

本研究の目的は、高密度磁気記録の読み取りヘッドやスピントロニクス素子に不可欠な反強磁性イリジウム-マンガン(IrMn)薄膜を代替する、希少元素フリー反強磁性ホイスラー合金薄膜を創製することである。具体的には、日本側はエピタキシャル薄膜試料の作製と基礎物性測定、中性子や放射光を用いた構造や微視的磁性の評価を行い、EU側は理論計算による材料設計と多結晶薄膜試料を作製する。デバイス構造の作製と評価は日本側とEU側が共同して行う。双方の研究チームが相互補完的に取り組むことにより、希少元素であるイリジウムを用いずに汎用元素のみから成る反強磁性ホイスラー合金薄膜が開発され、イリジウム消費量の削減および資源の保護につながることが期待される。