SiC単結晶の放電加工ワイヤー技術開発と応用

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 主任研究員 )
研究概要：

次世代パワーデバイス半導体材料であるSiC単結晶の難加工性を解決する新しい放電加工切断技術のための切断用ワイヤーおよびそのワイヤーシステムの開発を主な研究テーマとする。本研究にて、高能率・高精度・低損傷・低価格を実現する放電加工ワイヤー切断技術開発の促進を図り、従来技術であるダイヤモンドマルチワイヤーソーの代替化を狙う。

, , , , ,

研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

前のページに戻る