研課題
J-GLOBAL ID:202104010951783595  研究課題コード:09152485

Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発

体系的課題番号:JPMJPR0964
実施期間:2009 - 2012
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 大学院情報科学研究科, 博士研究員 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR0964
研究概要:
従来のMOSFETの原理で超えることができない理論限界の壁を、新しい動作原理のスイッチ素子で乗り越えます。具体的には、シリコンとIII-V族化合物半導体をナノスケールの結晶成長技術で接合し、欠陥のない理想的な接合界面(超ヘテロ界面)を作製します。そして、その界面で生じるバンド不連続性を利用し、低電力で駆動するスイッチ素子の開発を行います。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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